Trang chủ / Sản phẩm / NOISEKEN / Impulse Noise Simulator

Impulse Noise Simulator

 

 

 

Bộ mô phỏng nhiễu xung (Impulse Noise Simulator) để tái tạo nhiễu tăng nhanh được tạo ra khi BẬT / TẮT dòng điện trên tải cảm ứng. Hệ thống có thể được sử dụng để đánh giá hiệu suất của thiết bị điện tử khi tái tạo nhiễu xâm nhập vào đường dây cung cấp điện hoặc nhiễu gây ra trên đường dây viễn thông.

 

Bộ mô phỏng nhiễu xung【INS】

Tổng quan về sản phẩm (Bộ mô phỏng nhiễu được dẫn tần số cao)

Nhiễu tần số cao với tốc độ tăng nhanh có thể xảy ra do vô tình giải phóng tải cảm ứng như phóng điện giữa các tiếp điểm của thiết bị đóng cắt hoặc phóng điện hồ quang tạo ra từ động cơ điện tử.
Những tín hiệu nhiễu này truyền qua đường dây cung cấp điện và xâm nhập trực tiếp vào thiết bị điện tử, hoặc dẫn hướng và xâm nhập vào các đường tín hiệu chạy gần / song song và được kết hợp với mô hình mạch hoặc bảng của thiết bị điện tử để phản xạ.
Nó có thể gây ra hiện tượng cộng hưởng, khuếch đại, v.v. và làm cho vi mạch bên trong thiết bị điện tử bị trục trặc.

Dòng sản phẩm INS và FNS của NoiseKen là những hệ thống kiểm tra dành cho việc mô phỏng và tạo ra loại nhiễu này nhằm đánh giá trở kháng và hiệu suất của các thiết bị điện tử.
Dòng FNS tuân theo tiêu chuẩn kiểm tra IEC 61000-4-4 EFT / B được tiêu chuẩn hóa bởi IEC (Ủy ban Kỹ thuật Điện Quốc tế).
Đối với dòng INS, một số hướng dẫn như NECA và JEMA (từ Hiệp hội các nhà sản xuất điện Nhật Bản) đã được ban hành.

Cả hai đều là bài kiểm tra cho nhiễu tần số cao đối với đường dây nguồn và đường tín hiệu.
Trong trường hợp của kiểm tra FNS EFT / B, giả định trường hợp nhiễu được đưa vào từ các dây điện/cáp chạy song song như trong Hình 1, do đó, các yêu cầu tiêu chuẩn cũng chỉ quy định cách ghép nối chung. Tuy nhiên, trong thực tế, ngoài trường hợp nhiễu được tạo ra và được ghép nối giữa các cáp như trong Hình 2, còn có nhiễu tạo ra giữa các đường dây như hiện tượng phóng điện tại các tiếp điểm trong thiết bị và nhiễu chuyển mạch dẫn trực tiếp cáp. Tạo ra nhiễu ở chế độ bình thường giữa các đường EUT.
Nhiễu EFT / B mô phỏng nhiễu thực sự xảy ra tại các điểm tiếp xúc của tải cảm ứng.
Nhưng nhiễu xung có thành phần tần số gần với vùng ESD (phóng tĩnh điện) sử dụng xung nhân tạo làm nguồn nhiễu. Ngoài chế độ bình thường, ứng dụng bình thường áp dụng nhiễu giữa các dòng tùy ý cũng có thể được thực hiện.
Đánh giá nhiễu tối ưu có thể được thực hiện như một biện pháp đối phó với những rắc rối do nhiễu gây ra.

Impulse Noise Simulator INS-S220

Impulse Noise Simulator INS-S420

Các sản phẩm liên quan